EUR 75.62 USD 66.50
Курс валют на 12.12.2018
Наука

Ученые «ощупали» материал для памяти будущего

Ученые «ощупали» материал, который будет использоваться для создания памяти будущего. Физики МФТИ достаточно подробно описали процесс переключения поляризации в оксиде гафния, который многие предлагают использовать для создания компьютерных устройств нового поколения.



Вещество описано формулой Hf0.5Zr0.5O2 и является сегнетоэлектриком. Это указывает на смещение части электронов в сторону для создания заряженного участка, но даже после исчезновения возбуждающего поля заряд будет оставаться на том же месте. Сегнетоэлектрики поляризуются аналогичным магнитам образом. Это весьма ценное свойство, которое позволяет создавать небольшие ячейки для памяти ПК.

Оксид гафния достаточно интересен своим применением в микроэлектронной промышленности, включая процессоры Intel. Собственные сегнетооэлектрические свойства материал проявляет исключительно в пленках толщиной 5-20 нм, получить которые можно при помощи метода атомно-слоевого осаждения.

«Хотя оксид гафния уже применяется в микроэлектронике и его весьма легко использовать для выпуска энергонезависимой памяти, природа сегнетоэлектрических свойств этого соединения остается не до конца ясной. Наша работа представляет собой шаг вперед на пути к осознанному проектированию новых устройств. Если знать свойства материала, а также их источник. Инженеры могут оптимизировать все ячейки памяти, что делает их более компактными, надежными и технологичными», — сообщает один из авторов исследования.

Читайте также: Johnson & Johnson может купить компанию по производству вирусов против рака

Автор: Валерий Антонов


Читайте также
Добавление комментария
Последние новости