Московское время
:
EUR 69.70 USD 59.15
Курс валют на 26.08.2017
Наука

Российские физики создали новый перспективный тип оперативной памяти

Российские физики сформировали совершенно новый тип ОЗУ. Группа исследователей подчеркивает, что новинка сочетают в себе высокую скорость функционирования обычной «электронной» памяти, а также достаточно низкое энергопотребление для магнитных информационных носителей, указывается в статье, размещенной на страницах Applied Physics Letters.

Российские физики создали новый перспективный тип оперативной памяти


Сегодня индустрия RAM. Подчеркивают исследователи, достаточно сильно развита, а скорости работы соответствующих устройств становятся значительно выше, но при этом сохраняется один существенный недостаток, который на сегодня преодолеть не удалось. Это касается ее крайне низкой энергоэффективности. Новая магнито-электрическая ОЗУ дает возможность понизить трату энергии на запись и последующее прочтение данных в десятки тысяч раз.

На сегодня полупроводниковая «оперативка» остается эксклюзивным типом «быстрой» памяти, получившей достаточно широкое применение на всех вариациях вычислительных устройств. Конкурирующие оптические либо ферромагнитные технологии имеют серьезные недостатки, не позволяющие сделать их эффективными с коммерческой точки зрения. Этому препятствуют не только высокое тепловыделение, но и невозможность уменьшения соответствующих устройств относительно условий окружающей среды.

Российским физикам удалось создать новый продукт путем склеивания двух кусочков материалов, магнитные свойства которых изменяются при растягивании и сжатии. Полученный объект стал основой для создания новых ячеек магнитоэлектрической памяти, в которых 0 и 1 определяются за счет фиксации направления намагниченности, вместо использования электрического заряда в конденсаторе.

У таких ячеек памяти имеется 2 основных плюса. Во-первых, данные хранятся почти вечно вплоть до первого чтения, поэтому не требуется постоянно обновлять их, в отличии от привычной всем оперативной памяти. Во-вторых, их размер можно снизить до габаритов транзисторов. Авторы этой работы уверены, что во время перехода к небольшим размерам работоспособность нового решения не станет хуже, что позволяет заявлять о перспективности технологии.
Автор: Валерий Антонов
Читайте также
Загрузка...
Добавление комментария
Последние новости