Южнокорейская компания Samsung начала производство 512 Гб памяти eUFS для смартфонов нового поколения. Новое устройство, созданное на базе чипа V-NAND, улучшит скорость работы девайсов. Сведения предоставил вице-президент отдела маркетинга Джесу Хан.



«eUFS – это лучшее решения для премиальных смартфонов, позволяющее преодолеть существующие ограничения по производительности. Выпуск инновационной карты памяти позволит компании совершить технологический прорыв и стать лидером на мировом рынке», - отметил Хан.

512 Гб UFS состоит из 8-ми 64-слойных чипов и вдвое превышает показатели прототипа на 256 Гб. Для наглядности эксперты предоставили статистику: карта памяти может хранить 130 видеороликов длительностью по 10 минут, а устаревшая модель – только 13. Разработчики учли прошлые ошибки, минимизировали энергозатратность, увеличили скорость записи и считывания до 255 и 860 Мб/сек. При таких показателях клип размером в 5 Гб закачивается за 6 секунд.

Samsung не намерена останавливаться на достигнутом и обещает постоянно наращивать объемы производства до полного удовлетворения потребительского спроса. Скорее всего, карта появится в смартфоне Samsung Galaxy S9, дизайн которого уже рассекречен.