Технологии

Samsung работает над памятью DDR5 объемом 1 Тбайт

Компания Samsung ведут работу над памятью DDR5, которая в одном модуле будет иметь объем 1 Тбайт. Согласно предварительным сведениями, рабочее напряжение соответствующей платы составит 1,1 В.


Частота передачи данных в рабочем режиме у новинки достигает 7200 МГц либо выше. Для подготовки платы применяется 32 банка памяти. Подобная память может использоваться в устройствах серверной категории, включая совмещение с процессорами AMD Epyc от Genoa. Последние должны появиться до конца текущего года и будут содержать до 96 ядер.

Компания Samsung ведет работу над микросхемами DRAM. Такие модули получат емкостью данных в 32 Гбит. Использовать они будут стеки 3D-Stacking и 8-Hi. i.

Общество с ограниченной ответственностью «Процесс 2021» признан в РФ иностранным агентом.
Автор: Валерий Антонов
Источник: www.ixbt.com
📅 18-08-2022, 18:05
Читайте также

Введите комментарий:

Последние новости
Популярное
Работа у нас