Корпорация Intel готовится вновь войти в сегмент производства оперативной памяти, сотрудничая с Saimemory, дочерней компанией японского холдинга SoftBank. Вместе они разработали инновационную технологию под названием ZAM (Z-Angle Memory), отличающуюся от традиционных методов благодаря уникальной архитектуре. В отличие от обычных стеков памяти, где соединения проходят вертикально, ZAM использует ступенчатую топологию с диагональными межчиповыми связями.
Основные инженерные достижения технологии ZAM включают гибридное соединение «медь-медь», которое позволяет объединять кремниевые слои в единый блок, снижая термическое сопротивление. Также реализовано уменьшение количества конденсаторов, что упрощает конструкцию и увеличивает плотность размещения ячеек. Подключение памяти к чипам искусственного интеллекта осуществляется через инновационную технологию Intel Embedded Multi-die Interconnect Bridge (EMIB), что гарантирует высокую скорость передачи данных.
По предварительным данным, новая память ZAM будет потреблять на 40-50% меньше энергии в сравнении с HBM, а объем памяти на одном чипе может достигать 512 ГБ. Диагональные соединения также упрощают процесс сборки многослойных структур. Возвращение Intel на рынок DRAM будет историческим событием, так как с 1985 года компания практически не занималась этой областью, уйдя с рынка под давлением японских конкурентов. На фоне роста интереса к искусственному интеллекту, Intel стремится занять ключевые позиции в данной сфере. SoftBank планирует интегрировать технологию ZAM в свои специализированные процессоры линейки Izanagi.
Основные инженерные достижения технологии ZAM включают гибридное соединение «медь-медь», которое позволяет объединять кремниевые слои в единый блок, снижая термическое сопротивление. Также реализовано уменьшение количества конденсаторов, что упрощает конструкцию и увеличивает плотность размещения ячеек. Подключение памяти к чипам искусственного интеллекта осуществляется через инновационную технологию Intel Embedded Multi-die Interconnect Bridge (EMIB), что гарантирует высокую скорость передачи данных.
По предварительным данным, новая память ZAM будет потреблять на 40-50% меньше энергии в сравнении с HBM, а объем памяти на одном чипе может достигать 512 ГБ. Диагональные соединения также упрощают процесс сборки многослойных структур. Возвращение Intel на рынок DRAM будет историческим событием, так как с 1985 года компания практически не занималась этой областью, уйдя с рынка под давлением японских конкурентов. На фоне роста интереса к искусственному интеллекту, Intel стремится занять ключевые позиции в данной сфере. SoftBank планирует интегрировать технологию ZAM в свои специализированные процессоры линейки Izanagi.
📅 4-02-2026, 09:24
